IRF3315
Infineon Technologies
Artikelnummer: | IRF3315 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 150V 27A TO220AB |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220AB |
Serie | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 12A, 10V |
Verlustleistung (max) | 136W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Paket | Tube |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1300 pF @ 25 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 27A (Tc) |
IRF3315 Einzelheiten PDF [English] | IRF3315 PDF - EN.pdf |
IR TO-263
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MOSFET N-CH 150V D2PAK
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
IR TO-220
IRF3303TR IR
HEXFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
IRF3300 QUALOMM
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
N-CHANNEL POWER MOSFET
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
MOSFET N-CH 150V D2PAK
MOSFET N-CH 150V 21A TO262
MOSFET N-CH 150V 23A TO220AB
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MOSFET N-CH 150V D2PAK
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
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